广微集成申请深浅协同沟槽肖特基二极管专利有效降低肖特基二极管反向漏电流
国家知识产权局信息显示,广微集成技术(深圳)有限公司申请一项名为“一种深浅协同沟槽的肖特基二极管及其制备方法”的专利,公开号CN121357923A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本发明公开一种深浅协同沟槽的肖特基二极管及其制备方法,涉及功率半导体器件领域,包括:N型衬底;位于N型衬底上的N型外延层;位于N型外延层上的第一沟槽和第二沟槽,第一沟槽的深度大于第二沟槽的深度;位于第一沟槽和第二沟槽内的介质层;位于第一沟槽和第二沟槽内的多晶硅;位于N型外延层上的肖特基金属层;位于肖特基金属层上的正面金属层;位于N型衬底底部的背面金属层。本发明通过设置深浅协同沟槽,有效降低肖特基二极管反向漏电流,提高器件反向耐压,同时保持较低的正向导通压降。
天眼查资料显示,广微集成技术(深圳)有限公司,成立于2016年,位于深圳市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2176.47万人民币。通过天眼查大数据分析,广微集成技术(深圳)有限公司财产线条,此外企业还拥有行政许可14个。
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2026-01-26 10:09:44
作者:小编
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